微電子封裝中的引線鍵合可靠性評估歷來依賴于破壞性測試，然而在某些高可靠性應(yīng)用場景中，完整的鍵合結(jié)構(gòu)必須得到保留。非破壞性拉力測試(NDPT)便是在這種特殊需求下發(fā)展起來的一項重要技術(shù)。它既體現(xiàn)了質(zhì)量控制的前瞻性，也在工程應(yīng)用中面臨顯著的局限性。今天，科準(zhǔn)測控小編將帶您深入了解這一技術(shù)如何在航天等高可靠性領(lǐng)域發(fā)揮關(guān)鍵作用，以及它面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)與當(dāng)代解決方案。
一、NDPT 的技術(shù)原理與應(yīng)用范疇
非破壞性拉力測試在原理上與常規(guī)破壞性拉力測試相似，都是通過向引線施加拉伸力來評估鍵合強(qiáng)度。二者的關(guān)鍵區(qū)別在于，NDPT 施加的力被嚴(yán)格限制在預(yù)定閾值以下——該值通常依據(jù)線徑、材料特性及標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范設(shè)定，低于引線的彈性極限和正常破壞強(qiáng)度。其目的在于識別出低于該安全閾值的“弱鍵合點"，同時對合格的鍵合點不造成可檢測的損傷或冶金性能變化。
非破壞性拉力測試
因此，NDPT 主要適用于楔形鍵合點或球-楔鍵合中的楔形鍵合端，不適用于球形鍵合點。在應(yīng)用層面上，這一方法在 2008 年前后主要局限于高可靠性領(lǐng)域，例如航天任務(wù)、軍事電子裝備及其他對失效率“零容忍"的關(guān)鍵系統(tǒng)。在這些場景中，成本相對高昂，并且測試通常須覆蓋所有鍵合點（100% 全檢），或在已知有重復(fù)性鍵合問題的芯片區(qū)域進(jìn)行集中篩查。
二、從普遍使用到受限替代的歷史演變
從 20 世紀(jì) 60 年代末至 90 年代初，NDPT 曾是高可靠性密封器件（尤其是航天 S/K 級器件）的強(qiáng)制測試項目。然而，隨著封裝技術(shù)向高密度、多引腳方向發(fā)展，如多層針柵陣列封裝的普及，引線節(jié)距不斷縮小（例如 ≤305μm），線弧高度降低且引線走向復(fù)雜化，NDPT 遇到了工程瓶頸：
在密集重疊的引線中置入拉鉤而不損傷鄰近引線或造成短路，在技術(shù)上極為困難，甚至不可行。為此，以美國相關(guān)代表機(jī)構(gòu)轉(zhuǎn)向采用統(tǒng)計過程控制作為替代方案。SPC 通過對制程參數(shù)的嚴(yán)密監(jiān)控和大數(shù)據(jù)統(tǒng)計分析，從源頭控制鍵合質(zhì)量，從而減少對成品進(jìn)行全數(shù)物理測試的依賴。
三、技術(shù)挑戰(zhàn)與標(biāo)準(zhǔn)優(yōu)化的科學(xué)探索
早期研究顯示，NDPT 的有效性高度依賴于具體實驗條件。例如，鍵合點的幾何外形（如線弧高度和跨度）會顯著影響應(yīng)力分布。同一規(guī)范下，較低線弧的鍵合點可能在測試中被意外拉斷，而高線弧鍵合則可能僅受到輕微應(yīng)力，導(dǎo)致弱鍵合點漏檢。
在標(biāo)準(zhǔn)方面，傳統(tǒng)規(guī)范（如 ASTM F458-06、MIL-STD-883）基于引線線徑和材料規(guī)定了統(tǒng)一的 NDPT 閾值，例如 25μm 鋁絲為 2.0gf，金絲為 2.4gf。然而，這種做法忽略了個體鍵合幾何外形的差異，也未充分考慮不同批次的引線在冶金性能（如延伸率、屈服強(qiáng)度）上的波動。
更科學(xué)的方法是結(jié)合引線的實際應(yīng)力-應(yīng)變特性來設(shè)定閾值。引線在拉伸過程中存在彈性變形區(qū)和塑性變形區(qū)，為確保非破壞性，施加的測試力必須嚴(yán)格控制在彈性極限內(nèi)（對應(yīng)于應(yīng)力-應(yīng)變曲線的初始線性段）。尤其對于熱超聲或熱壓鍵合中常用的退火金絲，其力學(xué)行為較為柔軟，需特別謹(jǐn)慎設(shè)定測試力，以免引起不可逆的冶金損傷。
非破壞性拉力測試曾作為航天及高可靠電子器件的“金標(biāo)準(zhǔn)"測試方法，在確保質(zhì)量目標(biāo)中發(fā)揮了關(guān)鍵作用。然而，隨著微電子封裝向高密度、細(xì)節(jié)距方向演進(jìn)，其實施難度與局限性日益凸顯。現(xiàn)代工業(yè)通過引入統(tǒng)計過程控制等制程監(jiān)控方法，結(jié)合更科學(xué)的、基于材料力學(xué)性能和幾何特征的測試力設(shè)定方法，逐步形成了一套更適應(yīng)封裝需求的可靠性保障體系。這一演變過程，不僅反映了測試技術(shù)從“全數(shù)檢驗"到“預(yù)防控制"的范式轉(zhuǎn)變，也體現(xiàn)了微電子可靠性工程向著更精細(xì)化、系統(tǒng)化方向的發(fā)展趨勢。
