隨著半導(dǎo)體封裝技術(shù)向微型化、高密度方向發(fā)展，晶圓級封裝已成為先進封裝技術(shù)的重要代表。硅基WLP封裝因其優(yōu)異的電氣性能、小型化優(yōu)勢和高可靠性，在移動設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而，在復(fù)雜的使用環(huán)境和嚴苛的可靠性要求下，WLP封裝界面容易出現(xiàn)開裂、分層等失效問題，嚴重影響產(chǎn)品可靠性。

本文科準測控小編將從測試原理、行業(yè)標(biāo)準、儀器特點和操作流程等方面，全面介紹硅基WLP封裝的機械可靠性評估方法，為封裝工藝優(yōu)化和質(zhì)量控制提供科學(xué)依據(jù)，助力半導(dǎo)體封裝行業(yè)提升產(chǎn)品良率和可靠性水平。

一、測試原理

晶圓級封裝失效分析的核心在于評估其內(nèi)部互連結(jié)構(gòu)的機械強度，主要包括焊球剪切力和焊點拉脫力兩個關(guān)鍵指標(biāo)：

1、剪切測試原理

通過精密控制的剪切工具對焊球施加平行于基板方向的力。

測量焊球與基板或芯片間界面剝離所需的峰值力。

記錄力-位移曲線，分析失效模式和強度特征。

2、拉脫測試原理

使用專用夾具垂直拉伸焊球或凸塊。測量界面分離時的最大拉力。

分析斷裂面位置判斷失效機理（界面斷裂或內(nèi)聚斷裂）。

3、失效模式判別

界面失效：發(fā)生在金屬與鈍化層或UBM層界面。

內(nèi)聚失效：發(fā)生在焊料內(nèi)部或IMC層內(nèi)部。

混合失效：多種失效模式同時存在。

二、測試標(biāo)準

JESD22-B117A：焊球剪切測試標(biāo)準方法，規(guī)定測試速度、工具幾何尺寸等關(guān)鍵參數(shù)，定義剪切高度一般為焊球高度的25%。

JESD22-B109：焊球拉脫測試標(biāo)準，規(guī)范夾具設(shè)計、粘接方法和測試條件。

MIL-STD-883 Method 2019.7：微電子器件鍵合強度測試方法，包含剪切和拉脫兩種測試程序。

IPC/JEDEC-9704：晶圓級封裝可靠性表征標(biāo)準，特別針對WLP封裝的機械可靠性評估。

三、測試儀器

1、Alpha W260推拉力測試機

Alpha W260推拉力測試機是專為微電子封裝可靠性測試設(shè)計的高精度設(shè)備，特別適合晶圓級封裝失效分析需求。

1. 設(shè)備特點

高精度：全量程采用24Bit超高分辨率數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，確保測試數(shù)據(jù)的準確性。

多功能：支持拉力、推力、剪切力等多種測試模式，適用于不同封裝形式。

智能化操作：配備自動數(shù)據(jù)采集、SPC統(tǒng)計分析及一鍵報告生成功能。

安全設(shè)計：獨立安全限位、自動模組識別和防誤撞保護，避免樣品損壞。

2. 夾具系統(tǒng)

多種規(guī)格的剪切工具（適用于不同尺寸焊球）。

鉤型拉力夾具，適用于焊球垂直拉拔測試。

定制化夾具解決方案，滿足特殊測試需求。

四、測試流程

1. 樣品準備階段

樣品固定：使用真空吸附或?qū)Ｓ脢A具將樣品固定在測試平臺。

光學(xué)對位：通過顯微鏡觀察系統(tǒng)定位待測焊球。

高度測量：采用激光或光學(xué)方式測量焊球高度。

2. 剪切測試流程

設(shè)置剪切工具與基板間距（通常為焊球高度的25%）。

設(shè)定測試速度（通常為100-500μm/s）。

選擇剪切方向（通常平行于芯片邊緣）。

執(zhí)行剪切測試，記錄峰值力和位移曲線。

采集失效后圖像，分析斷裂面特征。

3. 拉脫測試流程

選擇合適的上拉夾具（鉤狀或粘接型）。

定位夾具與焊球中心對準。

設(shè)定拉伸速度和最大行程。

執(zhí)行拉脫測試，記錄最大拉力。

檢查斷裂面，判斷失效位置。

4. 數(shù)據(jù)分析階段

統(tǒng)計處理測試數(shù)據(jù)，計算平均值和標(biāo)準差。

分析力-位移曲線特征。

分類統(tǒng)計失效模式比例。

生成測試報告，包括原始測試數(shù)據(jù)、統(tǒng)計結(jié)果、典型失效圖片及工藝改進建議。

五、應(yīng)用案例

某300mm硅基WLP產(chǎn)品在溫度循環(huán)測試后出現(xiàn)早期失效，采用Alpha W260進行系統(tǒng)分析：

問題現(xiàn)象：溫度循環(huán)測試后部分器件功能失效，初步懷疑焊球界面可靠性問題。

分析過程：

選取正常和失效區(qū)域樣品各20個。

進行剪切力測試（參數(shù)：剪切高度30μm，速度200μm/s）。

結(jié)果顯示失效區(qū)域平均剪切力下降約35%。

斷裂面分析顯示界面失效比例從15%增至65%。

根本原因：UBM層厚度不均，電鍍工藝波動導(dǎo)致局部結(jié)合力不足。

改進措施：優(yōu)化UBM電鍍工藝參數(shù)，增加過程監(jiān)控點，改進后測試顯示剪切力一致性提高40%。

以上就是小編介紹的有關(guān)于晶圓級芯片封裝失效分析相關(guān)內(nèi)容了，希望可以給大家?guī)韼椭?。如果您還對推拉力測試機怎么使用視頻和圖解，使用步驟及注意事項、作業(yè)指導(dǎo)書，原理、怎么校準和使用方法視頻，推拉力測試儀操作規(guī)范、使用方法和測試視頻，焊接強度測試儀使用方法和鍵合拉力測試儀等問題感興趣，歡迎關(guān)注我們，也可以給我們私信和留言?！究茰蕼y控】小編將持續(xù)為大家分享推拉力測試機在鋰電池電阻、晶圓、硅晶片、IC半導(dǎo)體、BGA元件焊點、ALMP封裝、微電子封裝、LED封裝、TO封裝等領(lǐng)域應(yīng)用中可能遇到的問題及解決方案。